储能电站并网升压到几v
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EE 330 Lecture 18
V. GS. V. BS. I. D. I. G. I. B ( ) GS Tp DS D p OX GS Tp DS GS Tp DS GS Tp 2 p OX GS Tp GS Tp DS GS Tp GB. 0 VV W V I- Cμ VV V VVVVV L2 W-Cμ VV VVVVV 2L I =I =0 ≥ = −−≤ > − − ≤ ≤− Source Gate Drain Bulk. p-channel MOSFET (for enhancement devices) ( ) GS Tp DS D p OX GS Tp DS GS Tp DS GS Tp 2 p OX GS Tp GS Tp DS GS Tp GB. 0 ...